Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
144 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Cuatro Puertos, Sincrónico, QDR IIIe
-Tensión de alimentación:1,2 V ~ 1,35 V
Frecuencia de reloj:800 megahercios
Organización de la memoria:8M por 18
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
