Buen rendimiento Venta Componentes electrónicos IGBT Transistor IKW30N60H3 K30H603 TO-247 IC Chip Bom List

Shenzhen Baiyangxuan Electronics Co., Ltd.

3 años

CN

Características clave

Número de Modelo

IKW30N60H3

Tipo

JFET, transistor de efecto de campo

Marca

ALL BRAND

Tipo de paquete

Agujero de labranza

Descripción

-Transistor IGBT

Lugar del origen

Guangdong, China

PAQUETE/cubierta

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Serie

Transistor IKW30N60H3 K30H603 IGBT TO-247

d/c

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Tipo de Proveedor

Agencia, Minorista

Los medios disponibles

Foto

Corriente de colector (Ic) (máx.)

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-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)

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Vce de saturación (Max) @ Ib Ic

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Corriente de colector de corte (Max)

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Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce

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Poder-Max

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-Frecuencia de transición

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Tipo de Montaje

A través del agujero

Resistencia Base (R1)

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Resistencia-emisor Base (R2)

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FET tipo

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FET característica

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Tensión de drenador a fuente (Vdss)

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Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

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Rds (Max) @ Id Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

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Frecuencia

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Corriente nominal (en amperios)

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Ruido

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Potencia de salida

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-Tensión nominal

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Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

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Vgs (Max)

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Tipo IGBT de

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Vce (on) (Max) @ Vge Ic

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Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce

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De entrada

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Termistor NTC

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-Tensión de distribución (V (BR) GSS)

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Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)

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Corriente de drenaje (Id).

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-Tensión de corte (VGS) @ Id

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Resistencia-On (RDS)

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Tensión de salida-salida

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-Tensión Offset (Vt)

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Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)

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Corriente de Valle Iv)

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Corriente de pico

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Tipo de montaje

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Número de modelo

K30h603 Transistor K30h603

Condición

100% original nuevo

MOQ

Soporte técnico de One PC Sample Also

Pago

Paypal/T/Western Union/garantía comercial

Manera de Shiping

DHL/UPS/Fedex/TNTEMS /ARAMEX

Aplicación

Para circuito integrado

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365 días

Servicio

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Paquete Original con caja dura bien hecho.

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Tamaño del paquete

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