Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Asíncrono
-Tensión de alimentación:4,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:1 mil x 1
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:280 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
