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Transistor IGBT de Alta Potencia HT 75N65KDF KGF75N65KDF FQP75n65 TO-247 75A 650V 75N65 KGF75N65KDF-U/H

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Número de pieza del fabricante

KGF75N65KDF

Tipo

IGBT Transistor

Marca

KEC

Tipo de paquete

A través del agujero

Descripción

IGBT 75A650V TO247

Lugar del origen

China

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Características clave

Número de pieza del fabricante
KGF75N65KDF
Tipo
IGBT Transistor
Marca
KEC
Tipo de paquete
A través del agujero
Descripción
IGBT 75A650V TO247
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-247
Código de fecha de fabricación
2610
Uso
Amplificador
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
650V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
2.5V @ 15A, 15A
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
50 @ 15A, 15V
Resistencia Base (R1)
1kΩ
Resistencia-emisor Base (R2)
100Ω
FET característica
No aplicable
Corriente nominal (en amperios)
75A
-Tensión nominal
650V
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
2.5V @ 15A, 15A
Tipo de montaje
A través del agujero
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Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Shipping BY
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Package
Reel
Service
Bom List
Product Name
Transistor IC Electronic Component

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
10X10X5 cm
Peso bruto
0.890 kg

Tiempo de entrega

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