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HT BTS134D TO-252 Interruptor de Potencia Inteligente de Bajo Consumo para ECU de Automóvil, Chip de 4.6A

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Número de pieza del fabricante

BTS134D

Tipo

MOSFET

Marca

Original standard

Tipo de paquete

Montaje superficial

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Lugar del origen

Guangdong, China

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Características clave

Número de pieza del fabricante
BTS134D
Tipo
MOSFET
Marca
Original standard
Tipo de paquete
Montaje superficial
Descripción
Estándar original
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
Estándar original
Código de fecha de fabricación
2610
Uso
Control de potencia
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
60 V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
1.2 V
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
10
Resistencia Base (R1)
1 kΩ
Resistencia-emisor Base (R2)
100 Ω
FET característica
GaNFET (de nitruro de galio)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
60 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
40 A
Rds (Max) @ Id Vgs
1.2 mΩ
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5 V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
10 nC
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
100 pF
Frecuencia
100 MHz
Corriente nominal (en amperios)
40 A
Ruido
0.5 dB
Potencia de salida
150 W
-Tensión nominal
60 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5 V
Vgs (Max)
10 V
Tipo IGBT de
No aplicable
Configuración
No aplicable
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
1.2 V
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
100 pF
De entrada
Individual
Termistor NTC
No aplicable
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
20 V
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
100 nA
Corriente de drenaje (Id).
40 A
-Tensión de corte (VGS) @ Id
2.5 V
Resistencia-On (RDS)
1.2 mΩ
Tensión de salida-salida
60 V
-Tensión Offset (Vt)
2.5 V
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
100 nA
Corriente de Valle Iv)
100 mA
Corriente de pico
40 A
Tipo de montaje
A través del agujero
Pago
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Embalaje
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