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Transistor original HT Lorida STGWA80H65DFB IGBT Trench Field Stop 650 V 120 A 469 W, montaje a través de orificio (TO-247) con cables largos

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Características principales

Número de pieza del fabricante

STGWA80H65DFB

Tipo

IGBT Transistor

Marca

ST

Tipo de paquete

TO-247

Descripción

IGBT

Lugar del origen

Sao Tome and Principe

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Características clave

Número de pieza del fabricante
STGWA80H65DFB
Tipo
IGBT Transistor
Marca
ST
Tipo de paquete
TO-247
Descripción
IGBT
Lugar del origen
Sao Tome and Principe
PAQUETE/cubierta
TO-247
Código de fecha de fabricación
2026
Uso
Interruptor de potencia de circuitos
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
650 V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
120A
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
RIGHT
Resistencia Base (R1)
RIGHT
Resistencia-emisor Base (R2)
RIGHT
FET característica
Not Applicable
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
RIGHT
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
RIGHT
Rds (Max) @ Id Vgs
RIGHT
Vgs (th) (Max) @ Id
RIGHT
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
RIGHT
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
RIGHT
Frecuencia
RIGHT
Corriente nominal (en amperios)
120 A
Ruido
RIGHT
Potencia de salida
RIGHT
-Tensión nominal
650 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
RIGHT
Vgs (Max)
RIGHT
Tipo IGBT de
Trench Field Stop
Configuración
Not Applicable
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
RIGHT
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
RIGHT
De entrada
RIGHT
Termistor NTC
RIGHT
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
RIGHT
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
RIGHT
Corriente de drenaje (Id).
RIGHT
-Tensión de corte (VGS) @ Id
RIGHT
Resistencia-On (RDS)
RIGHT
Tensión de salida-salida
RIGHT
-Tensión Offset (Vt)
RIGHT
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
RIGHT
Corriente de Valle Iv)
RIGHT
Corriente de pico
RIGHT
Tipo de montaje
Through Hole

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
10X10X5 cm
Peso bruto
0.890 kg

Tiempo de entrega

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