find similar
≤2h
Tiempo de respuesta
≥100%
Tasa de entregas a tiempo

Principales mercados: Estados Unidos de América, Indonesia, Mauricio, Reino Unido, Australia

Transistor MOSFET de Potencia de Canal N CoolSiC HT Original Nuevo Infineon IMZA65R027M1H TO-247-4 650V 59A 34mΩ

Sin reseñas
EUR541
Cantidad mínima de compra: 100 unidades
Características
Opciones de personalización
BOM+0,91 €/unidad (Pedido mínimo: 1 unidad)

Características principales

Número de pieza del fabricante

IKW25N120T2

Tipo

IGBT Transistor

Marca

Infineon

Tipo de paquete

TO-247

Descripción

IMZA65R027M1H es un MOSFET de potencia original Infineon CoolSiC M1 de canal N en un encapsulado TO-247-4.Con una tensión nominal de 650 V, una corriente de drenaje continua de 59 A y una baja resistencia RDS(on) de 34 mΩ, ofrece una alta eficiencia para la carga de vehículos eléctricos, inversores solares y fuentes de alimentación industriales.

Lugar del origen

China

Shipping
Select shipping

Protección de pedidos de Alibaba.com

Pagos seguros

Todos tus pagos realizados en Alibaba.com están protegidos por cifrado SSL y protocolos de protección de datos PCI DSS

Garantía de devolución de dinero

Solicita un reembolso si tu pedido no se envía, no llega o hay defectos en el producto

Pagos y financiación

4 pagos sin intereses con

Características clave

Número de pieza del fabricante
IKW25N120T2
Tipo
IGBT Transistor
Marca
Infineon
Tipo de paquete
TO-247
Descripción
IMZA65R027M1H es un MOSFET de potencia original Infineon CoolSiC M1 de canal N en un encapsulado TO-247-4.Con una tensión nominal de 650 V, una corriente de drenaje continua de 59 A y una baja resistencia RDS(on) de 34 mΩ, ofrece una alta eficiencia para la carga de vehículos eléctricos, inversores solares y fuentes de alimentación industriales.
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-247-3
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ +175°C
Serie
Serie TrenchStop2
Código de fecha de fabricación
Última Tanda
Uso
Inversores, Calentamiento por Inducción, SAI, Accionamientos de Motor
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Los medios disponibles
Hoja de datos disponible
Corriente de colector (Ic) (máx.)
50A
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
1.2kV (1200V)
Poder-Max
349W
Corriente nominal (en amperios)
50A
Potencia de salida
349W
-Tensión nominal
1200V
Tipo IGBT de
Parada de zanja2
Configuración
SOLO
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
2.2V @ 15V, 25A
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
1.6nF
De entrada
Estándar
Termistor NTC
No
Corriente de pico
100A
Tipo de Transistor
IGBT Transistor Individual
Tipo de montaje
A través del agujero

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

Tiempo de entrega

Opciones de personalización

BOM(+ desde +0,91 €/unidad/Pedido mínimo: 1 unidad)
Ver detalles

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
Este producto ha obtenido las certificaciones y/o licencias de producto pertinentes en los países aplicables.