
Principales mercados: Estados Unidos de América, Indonesia, Mauricio, Reino Unido, Australia
Número de pieza del fabricante
IKW25N120T2
Tipo
IGBT Transistor
Marca
Infineon
Tipo de paquete
TO-247
Descripción
IMZA65R027M1H es un MOSFET de potencia original Infineon CoolSiC M1 de canal N en un encapsulado TO-247-4.Con una tensión nominal de 650 V, una corriente de drenaje continua de 59 A y una baja resistencia RDS(on) de 34 mΩ, ofrece una alta eficiencia para la carga de vehículos eléctricos, inversores solares y fuentes de alimentación industriales.
Lugar del origen
China
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