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Transistor IGBT de Potencia con Bloqueo de Campo HT Original Nuevo onsemi FGH40T65SHD-F155 TO-247 650V 80A

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EUR 0.8754
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Características

FGH40T65SHD-F155
Opciones de personalización
BOM+0,88 €/unidad (Pedido mínimo: 1 unidad)

Características principales

Número de pieza del fabricante

FGH40T65SHD-F155

Tipo

IGBT

Marca

onsemi

Tipo de paquete

TO-247

Descripción

FGH40T65SHD-F155 es un IGBT de potencia Field Stop de 3.ª generación original de onsemi de 650 V y 80 A en un encapsulado TO-247.Con alta eficiencia, bajas pérdidas de conmutación y un rendimiento térmico robusto, se utiliza ampliamente en inversores solares, sistemas UPS, máquinas de soldadura, sistemas de energía para telecomunicaciones y aplicaciones de ESS.

Lugar del origen

China

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Características clave

Número de pieza del fabricante
FGH40T65SHD-F155
Tipo
IGBT
Marca
onsemi
Tipo de paquete
TO-247
Descripción
FGH40T65SHD-F155 es un IGBT de potencia Field Stop de 3.ª generación original de onsemi de 650 V y 80 A en un encapsulado TO-247.Con alta eficiencia, bajas pérdidas de conmutación y un rendimiento térmico robusto, se utiliza ampliamente en inversores solares, sistemas UPS, máquinas de soldadura, sistemas de energía para telecomunicaciones y aplicaciones de ESS.
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-247-G03
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ +175°C
Serie
Parada de Campo 3
Código de fecha de fabricación
Última Tanda
Uso
Inversores solares, UPS, soldadoras, alimentación para telecomunicaciones, ESS
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Los medios disponibles
Hoja de datos disponible
Corriente de colector (Ic) (máx.)
80A
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
650V
Poder-Max
268W
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
72.2nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1.995nF
Corriente nominal (en amperios)
80A
Potencia de salida
268W
-Tensión nominal
650V
Vgs (Max)
±20V
Tipo IGBT de
Parada de Campo 3
Configuración
SOLO
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
2.1V @ 15V, 40A
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
1.995nF
Termistor NTC
No
Corriente de pico
120A
Tipo de Transistor
IGBT
Tipo de montaje
A través del agujero

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

Tiempo de entrega

Opciones de personalización

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