Atributos
60T65PESNúmero de Modelo
IGBT TransistorTipo
HENTETMarca
Agujero de labranzaTipo de paquete
TO-247 60A 600V IGBT TransistorDescripción
Guangdong, ChinaLugar del origen
PAQUETE/cubierta:TO-247
Temperatura de funcionamiento:-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Serie:Estándar original
d/c:Estándar
Uso:Estándar
Tipo de Proveedor:Fabricante original, ODM, Agencia, Minorista
Referencia cruzada:Estándar
Los medios disponibles:Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.):Estándar
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):Estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:Estándar
Corriente de colector de corte (Max):Estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:Estándar
Poder-Max:Estándar
-Frecuencia de transición:Estándar
Tipo de Montaje:A través del agujero
Resistencia Base (R1):Estándar
Resistencia-emisor Base (R2):Estándar
FET tipo:Estándar
FET característica:Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss):Estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:Estándar
Rds (Max) @ Id Vgs:Estándar
Vgs (th) (Max) @ Id:Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):Estándar
Frecuencia:Estándar
Corriente nominal (en amperios):Estándar
Ruido:Estándar
Potencia de salida:Estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):Estándar
Vgs (Max):Estándar
Tipo IGBT de:Estándar
Configuración:Estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:Estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:Estándar
De entrada:Estándar
Termistor NTC:Estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):Estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):Estándar
Corriente de drenaje (Id).:Estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id:Estándar
Resistencia-On (RDS):Estándar
Tensión de salida-salida:Estándar
-Tensión Offset (Vt):Estándar
Corriente de Valle Iv):Estándar
Tipo de Transistor:JFET de canal N
Tipo de montaje:A través del agujero
