Memoria Flash SD NAND de Alto Rendimiento de 256 MB, 2 GB, 2.7 V~3.6 V, 133 MHz, LGA6*8
Puntuación de la tienda:
3.8
(14 reseñas)
Atributos
FLASH - Ni tampocoLa tecnología
No volátilTipo de memoria
OriginalesInterfaz de la memoria
64M por 8Organización de la memoria
montaje en superficieTipo de montaje
DestelloTipo
Tipo de expansión:Originales
Número de Modelo:XQW
Marca:XQW
Velocidad de datos:133MHz
Tamaño de la memoria:2 GB
Lugar del origen:Guangdong, China
Descripción:Memoria de alto rendimiento de marca propia 256MB SD NAND Flash 2Gb 2.7v~3.6v 133Mhz LGA6*8
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR), Cinta Cortada (CT)
Función:estándar2, estándar2
Aplicación:Memoria
Temperatura de funcionamiento:-25~85℃
PAQUETE/cubierta:LGA6*8ª generación
Serie:SD NAND
Características:Componente Electrónico
Referencia cruzada:Estándar original
Química de la batería:estándar6
Corriente de alimentación (Max):Originales
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Autobús direccional:Originales
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Características clave
La tecnología
FLASH - Ni tampoco
Tipo de memoria
No volátil
Interfaz de la memoria
Originales
Organización de la memoria
64M por 8
Tipo de montaje
montaje en superficie
Tipo
Destello
Tipo de expansión
Originales
Número de Modelo
XQW
Marca
XQW
Velocidad de datos
133MHz
Tamaño de la memoria
2 GB
Lugar del origen
Guangdong, China
Descripción
Memoria de alto rendimiento de marca propia 256MB SD NAND Flash 2Gb 2.7v~3.6v 133Mhz LGA6*8
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR), Cinta Cortada (CT)
Función
estándar2, estándar2
Aplicación
Memoria
Temperatura de funcionamiento
-25~85℃
PAQUETE/cubierta
LGA6*8ª generación
Serie
SD NAND
Características
Componente Electrónico
Referencia cruzada
Estándar original
Química de la batería
estándar6
Corriente de alimentación (Max)
Originales
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Autobús direccional
Originales
Frecuencia de reloj
133 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
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