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Transistor MOS de Alta Calidad 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET C3M0065100K

Sin reseñas
EUR1208-2009
Cantidad mínima de compra: 5 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

C3M0065100K

Tipo

MOSFET,Field-Effect Transistor

Marca

original brand

Tipo de paquete

Throught Hole

Descripción

transistor, 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET

Lugar del origen

Guangdong,China

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Características clave

Número de pieza del fabricante
C3M0065100K
Tipo
MOSFET,Field-Effect Transistor
Marca
original brand
Tipo de paquete
Throught Hole
Descripción
transistor, 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Lugar del origen
Guangdong,China
PAQUETE/cubierta
TO-220-3
Temperatura de funcionamiento
-
Serie
C3M0065100K
Código de fecha de fabricación
2505
Uso
-
Tipo de Proveedor
Agencia, ODM, Fabricante original
Referencia cruzada
-
Los medios disponibles
Foto, Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
Poder-Max
-
-Frecuencia de transición
-
Resistencia Base (R1)
-
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET tipo
-, N-Channel
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
-
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-,3.5V @ 5mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Frecuencia
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Ruido
-
Potencia de salida
-
-Tensión nominal
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Vgs (Max)
-
Tipo IGBT de
MOSFET transistor
Configuración
-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
De entrada
-
Termistor NTC
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
--
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Resistencia-On (RDS)
-
Tensión de salida-salida
-
-Tensión Offset (Vt)
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Tipo de Transistor
MOSFET transistor
Tipo de montaje
A través del agujero
Part Number
C3M0065100K
Drain to Source Voltage
1000V (1kV)
Current @ 25°C
35A (Tc)
Gate Charge @ Vgs
35nC @ 15V
Input Capacitance @ Vds
3.5V @ 5mA
Power Dissipation (Max)
113.5W (Tc)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Reportar actividad sospechosa
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