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High Quality New Original 4 Tb NAND Flash Memory MT29F4T08EULEEM4-R:E Electronic Component

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Características principales

Marca

original

Número de pieza del fabricante

MT29F4T08EULEEM4-R:E

Lugar del origen

Shanghai, China

Descripción

4 Tb NAND flash memory device

Aplicación

embedded and industrial applications

PAQUETE/cubierta

132-ball LBGA

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4 Tb NAND flash memory device
Aplicación
embedded and industrial applications
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Serie
NAND FLASH
Type
Component & Part

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