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MOSFET de Canal N de Bajo Voltaje y Alta Velocidad 80V TK100E08N1 para Aplicaciones de Amplificador, Paquete TO-220, Disipación de Potencia Máxima de 255W

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Características principales

Número de pieza del fabricante

TK100E08N1

Tipo

Transistores

Marca

/

Tipo de paquete

A través del agujero

Descripción

MOSFET de Canal N 80V, FET de puente de mos

Lugar del origen

China

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Características clave

Número de pieza del fabricante
TK100E08N1
Tipo
Transistores
Marca
/
Tipo de paquete
A través del agujero
Descripción
MOSFET de Canal N 80V, FET de puente de mos
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PARA-220
Temperatura de funcionamiento
150°C (Técnico de Juegos)
Serie
ESTÁNDAR
Código de fecha de fabricación
MÁS RECIENTE
Uso
Amplificador
Tipo de Proveedor
Fabricante original, ODM
Referencia cruzada
/
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
FET tipo
ESTÁNDAR
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Producto
FET de puente de mos
Modo de Operación
MODO DE MEJORA
Serie
TK100E08N
Polaridad del Transistor
Canal N
Categoría de Producto
FET de puente de mos
Disipación de Potencia-Máx
255 vatios

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
10.0X5.0X8.0 cm
Peso bruto
0.01 kg

Tiempo de entrega

Opciones de personalización

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Embalaje personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 10,000 unidades)
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