Cumplimiento de Reciclaje WEEE
Atributos
InfineonNúmero de Modelo
IGBT TransistorTipo
Infineon AnyhzMarca
CTI > 400Tipo de paquete
más detalles, por favor envíe su consultaDescripción
Guangdong, ChinaLugar del origen
PAQUETE/cubierta:CTI > 400
Temperatura de funcionamiento:más detalles, por favor envíe su consulta
Serie:más detalles, por favor envíe su consulta
d/c:más detalles, por favor envíe su consulta
Uso:Alta frecuencia
Tipo de Proveedor:Fabricante original, ODM, Agencia, Minorista, Otros
Los medios disponibles:Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Otros
Corriente de colector (Ic) (máx.):más detalles, por favor envíe su consulta
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):más detalles, por favor envíe su consulta
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:más detalles, por favor envíe su consulta
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:más detalles, por favor envíe su consulta
Tipo de Montaje:more detail PLZ send inquiry
Resistencia Base (R1):más detalles, por favor envíe su consulta
Resistencia-emisor Base (R2):más detalles, por favor envíe su consulta
FET tipo:más detalles, por favor envíe su consulta
FET característica:más detalles, por favor envíe su consulta
Tensión de drenador a fuente (Vdss):más detalles, por favor envíe su consulta
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:más detalles, por favor envíe su consulta
Rds (Max) @ Id Vgs:más detalles, por favor envíe su consulta
Vgs (th) (Max) @ Id:más detalles, por favor envíe su consulta
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:más detalles, por favor envíe su consulta
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):más detalles, por favor envíe su consulta
Frecuencia:más detalles, por favor envíe su consulta
Corriente nominal (en amperios):más detalles, por favor envíe su consulta
Ruido:más detalles, por favor envíe su consulta
Potencia de salida:más detalles, por favor envíe su consulta
-Tensión nominal:más detalles, por favor envíe su consulta
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):más detalles, por favor envíe su consulta
Vgs (Max):más detalles, por favor envíe su consulta
Tipo IGBT de:más detalles, por favor envíe su consulta
Configuración:más detalles, por favor envíe su consulta
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:más detalles, por favor envíe su consulta
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:más detalles, por favor envíe su consulta
De entrada:más detalles, por favor envíe su consulta
Termistor NTC:más detalles, por favor envíe su consulta
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):más detalles, por favor envíe su consulta
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):más detalles, por favor envíe su consulta
Corriente de drenaje (Id).:más detalles, por favor envíe su consulta
-Tensión de corte (VGS) @ Id:más detalles, por favor envíe su consulta
Resistencia-On (RDS):más detalles, por favor envíe su consulta
Tensión de salida-salida:más detalles, por favor envíe su consulta
-Tensión Offset (Vt):más detalles, por favor envíe su consulta
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):más detalles, por favor envíe su consulta
Corriente de Valle Iv):más detalles, por favor envíe su consulta
Corriente de pico:más detalles, por favor envíe su consulta
Tipo de Transistor:más detalles, por favor envíe su consulta
Tipo de montaje:más detalles, por favor envíe su consulta
Color de la piel:Blanco
Máxima densidad de potencia:Máxima densidad de potencia
Cumple con RoHS:Cumple con RoHS
VCEsat, el mejor de su clase:VCEsat, el mejor de su clase
TVj operativo = 175°C sobrecarga:TVj operativo = 175°C sobrecarga
4 kV CA 1 min Aislamiento:4 kV CA 1 min Aislamiento
Certificación UL/CSA con UL1557 E83336:Certificación UL/CSA con UL1557 E83336
Alta fuga y espacio libre:Alta fuga y espacio libre
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:8.5X15.3X11.3 cm
Peso bruto:0.100 kg
