Atributos
FGH60N60UFDNúmero de Modelo
MOSFETTipo
HYSTMarca
Agujero de labranzaTipo de paquete
FSPIGBT TO247 60A 600VDescripción
Guangdong, ChinaLugar del origen
PAQUETE/cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-
Serie:MOSFET
d/c:-
Uso:-
Referencia cruzada:-
Los medios disponibles:EDA/modelos CAD
Corriente de colector (Ic) (máx.):-
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:-
Corriente de colector de corte (Max):-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:-
Poder-Max:-
-Frecuencia de transición:-
Tipo de Montaje:A través del agujero
Resistencia Base (R1):-
Resistencia-emisor Base (R2):-
FET tipo:-
FET característica:-
Tensión de drenador a fuente (Vdss):-as datasheet
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:-as datasheet
Rds (Max) @ Id Vgs:-
Vgs (th) (Max) @ Id:-as datasheet
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:-as datasheet
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):-as datasheet
Frecuencia:-
Corriente nominal (en amperios):-as datasheet
Ruido:-
Potencia de salida:-as datasheet
-Tensión nominal:-as datasheet
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):-as datasheet
Vgs (Max):-as datasheet
Tipo IGBT de:- IGBT Transistors
Configuración:-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:-
De entrada:-
Termistor NTC:-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):-
Corriente de drenaje (Id).:-
-Tensión de corte (VGS) @ Id:-
Resistencia-On (RDS):-
Tensión de salida-salida:-
-Tensión Offset (Vt):-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):-
Corriente de Valle Iv):-
Corriente de pico:-
Tipo de Transistor:-
Tipo de montaje:Through Hole
PAYMENT:T/T
Shipping BY:DHL
Service:Bom List
Quality:100% Original 100% Brand
Other Services:One Stop Bom Service
More Details:Please Consult Us
Operating Temperature:-55°C ~ 175°C(TJ)
Voltage:- 20 V, 20 V
Applications:-Automotive AEC-Q101
Type:IGBT Transistors
