Atributos
IRF3205PBFNúmero de Modelo
MOSFETTipo
OriginalMarca
EstándarTipo de paquete
TransistorDescripción
OriginalLugar del origen
PAQUETE/cubierta:PARA-220-3
Tipo de Montaje:A través del agujero
FET tipo:Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss):55 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:110A (técnico)
Rds (Max) @ Id Vgs:8mOhmios a 62A, 10V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:146nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):3247pF a 25V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):10 voltios
Vgs (Max):±20V
