ICMICRO En Stock Nuevo Transistor MOSFET IGBT Original Proveedores MMBFJ177LT1G
ICMICRO En Stock Nuevo Transistor MOSFET IGBT Original Proveedores MMBFJ177LT1GSin reseñas4 vendido/s
Atributos
MOSFETTipo
StandardTipo de paquete
A través del agujeroTipo de Montaje
TO-220-3PAQUETE/cubierta
TransistorDescripción
MMBFJ177LT1GNúmero de Modelo
Marca:Original
Lugar del origen:Original
FET tipo:N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss):55V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:110A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs:8mOhm @ 62A, 10V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:146nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):3247pF @ 25V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):10V
Vgs (Max):±20V
ICMICRO ELECTRONICS (HK) LIMITED
HK1 años en Alibaba.com
Tasa de recompra: 25%Tiempo de respuesta ≤ 4hTasa de entregas a tiempo ≥ 100%
Características clave
Tipo
MOSFET
Tipo de paquete
Standard
Tipo de Montaje
A través del agujero
PAQUETE/cubierta
TO-220-3
Descripción
Transistor
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3247pF @ 25V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
FET tipo
N-Channel
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
146nC @ 10V
Lugar del origen
Other
Marca
Original
Número de Modelo
MMBFJ177LT1G
Rds (Max) @ Id Vgs
8mOhm @ 62A, 10V
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
55V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
10X10X10 cm
Peso bruto por lote
3.000 kg
Tiempo de entrega
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