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ICMICRO En Stock Nuevo Transistor MOSFET IGBT Original Proveedores ULQ2003AQDRQ1

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Atributos

FET de puente de mosTipo
EstándarTipo de paquete
A través del agujeroTipo de Montaje
PARA-220-3PAQUETE/cubierta
TransistorDescripción
ULQ2003AQDRQ1Número de Modelo
Marca:Original
Lugar del origen:Original
FET tipo:Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss):55 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:110A (técnico)
Rds (Max) @ Id Vgs:8mOhmios a 62A, 10V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:146nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):3247pF a 25V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):10 voltios
Vgs (Max):±20V

Características clave

Tipo
FET de puente de mos
Tipo de paquete
Estándar
Tipo de Montaje
A través del agujero
PAQUETE/cubierta
PARA-220-3
Descripción
Transistor
Número de Modelo
ULQ2003AQDRQ1
Marca
Original
Lugar del origen
Original
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
55 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
110A (técnico)
Rds (Max) @ Id Vgs
8mOhmios a 62A, 10V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
146nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3247pF a 25V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10 voltios
Vgs (Max)
±20V

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
10X10X10 cm
Peso bruto
3.000 kg

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