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ICMICRO ELECTRONICS (HK) LIMITED logo
ICMICRO ELECTRONICS (HK) LIMITED
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ICMICRO en Stock, Nuevo Transistor MOSFET IGBT Original, Proveedores STW56N60DM2

Sin reseñas
EUR 0.4523
Cantidad mínima de compra: 10 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

STW56N60DM2

Tipo

FET de puente de mos

Marca

Original

Tipo de paquete

Estándar

Descripción

Transistor

Lugar del origen

Other

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Características clave

Tipo
FET de puente de mos
Tipo de paquete
Estándar
Tipo de montaje
A través del agujero
PAQUETE/cubierta
PARA-220-3
Descripción
Transistor
Número de pieza del fabricante
STW56N60DM2
Marca
Original
Lugar del origen
Original
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
55 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
110A (técnico)
Rds (Max) @ Id Vgs
8mOhmios a 62A, 10V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
146nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3247pF a 25V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10 voltios
Vgs (Max)
±20V

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
10X10X10 cm
Peso bruto
3.000 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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