





Atributos
APT65GP60L2DQ2GNúmero de Modelo
Brand newMarca
Agujero de labranzaTipo de paquete
JapanLugar del origen
Productos Semiconductores Discretos Transistores-FET, MOSFETs - SingleCategorías
APT65GP60L2DQ2GNúmero de parte
Embalaje:Tubo
Estado de la pieza:No para nuevos diseños
Tipo de IGBT:Por PT
Potencia-Max:833W
Tipo de entrada:Estándar
Carga de la puerta:210nC
Temperatura de funcionamiento:-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Paquete/caso:TO-264-3, TO-264AA














