Atributos
IMBG65R010M2HXTMA1Número de Modelo
CoolSiC MOSFETTipo
originalMarca
standardTipo de paquete
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 VDescripción
originalLugar del origen
PAQUETE/cubierta:PG-TO263-7
Temperatura de funcionamiento:standard
Serie:UJ4N
d/c:standard
Uso:standard
Tipo de Proveedor:Fabricante original
Referencia cruzada:standard
Los medios disponibles:Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.):standard
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):standard
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:standard
Corriente de colector de corte (Max):standard
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:standard
Poder-Max:standard
-Frecuencia de transición:standard
Tipo de Montaje:standard
Resistencia Base (R1):standard
Resistencia-emisor Base (R2):standard
FET tipo:standard
FET característica:Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss):standard
Tipo de montaje:standard
