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IMW65R026M2HXKSA1 para CoolSiC MOSFET 650V 26mohm G2 SMD IGBT Transistor para aplicación de componentes

Sin reseñas
ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
1 año
SG

Características clave

Número de Modelo
IMW65R026M2HXKSA1
Tipo
MOSFET SiC
Marca
ORIGINAL
Tipo de paquete
Estándar
Descripción
IMW65R026M2HXKSA1
Lugar del origen
original
PAQUETE/cubierta
TO-247-3
Temperatura de funcionamiento
Estándar
Serie
UJ4N
d/c
Estándar
Uso
Estándar
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Referencia cruzada
Estándar
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Estándar
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Estándar
Corriente de colector de corte (Max)
Estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Estándar
Poder-Max
Estándar
-Frecuencia de transición
Estándar
Tipo de Montaje
Estándar
Resistencia Base (R1)
Estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
Estándar
FET tipo
Estándar
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Estándar
Tipo de montaje
ESTÁNDAR

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
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Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
1 - 99 unidades
EUR 913
100 - 239 unidades
EUR 694
>= 240 unidades
EUR 671

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