Atributos
IMW65R026M2HXKSA1Número de Modelo
TransistorTipo
Infi neonMarca
A través del agujeroTipo de paquete
IMW65R026M2HXKSA1Descripción
ORIGINALLugar del origen
PAQUETE/cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Serie:650V G2
d/c:Más reciente
Uso:Propósito general
Tipo de Proveedor:Fabricante original, ODM, Agencia, Minorista
Referencia cruzada:Transistor
Los medios disponibles:Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
Corriente de colector (Ic) (máx.):ESTÁNDAR
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):ESTÁNDAR
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:ESTÁNDAR
Corriente de colector de corte (Max):ESTÁNDAR
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:ESTÁNDAR
Poder-Max:ESTÁNDAR
-Frecuencia de transición:ESTÁNDAR
Tipo de Montaje:ESTÁNDAR
Resistencia Base (R1):ESTÁNDAR
Resistencia-emisor Base (R2):ESTÁNDAR
FET tipo:Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss):75V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:80A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs:11mOhm @ 40A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250ua
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:160nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):3700pF @ 25V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):10V
Vgs (Max):± 20V
Tipo de montaje:A través del agujero
