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IMZA65R026M2HXKSA1 para CoolSiC MOS FET 650 V 26 Mohm G2 Transistor IGBT de alto rendimiento para amplificadores y Componentes de potencia

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ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
1 año
SG

Características clave

Número de Modelo
IMZA65R026M2HXKSA1
Tipo
Transistor
Marca
Infi neon
Tipo de paquete
A través del agujero
Descripción
IMZA65R026M2HXKSA1
Lugar del origen
ORIGINAL
PAQUETE/cubierta
TO-247-4
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Serie
650V G2
d/c
Más reciente
Uso
Propósito general
Tipo de Proveedor
Fabricante original, ODM, Agencia, Minorista
Referencia cruzada
Transistor
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
Corriente de colector (Ic) (máx.)
ESTÁNDAR
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
ESTÁNDAR
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
ESTÁNDAR
Corriente de colector de corte (Max)
ESTÁNDAR
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
ESTÁNDAR
Poder-Max
ESTÁNDAR
-Frecuencia de transición
ESTÁNDAR
Tipo de Montaje
ESTÁNDAR
Resistencia Base (R1)
ESTÁNDAR
Resistencia-emisor Base (R2)
ESTÁNDAR
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
75V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
11mOhm @ 40A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250ua
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3700pF @ 25V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
± 20V
Tipo de montaje
A través del agujero

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Ver más

Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
1 - 99 unidades
EUR 11.90
100 - 479 unidades
EUR 7.52
>= 480 unidades
EUR 6.69

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