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Transistores IPT025N15NM6ATMA1 PG-HSOF-8-1, Componentes Electrónicos Ic, Nuevos y Originales

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≥3,100 unidades
Características

Características principales

Número de Modelo

IPT025N15NM6ATMA1

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

FETs, MOSFETs

Paquete / Caja

PG-HSOF-8-1

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Características clave

Número de Modelo
IPT025N15NM6ATMA1
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Paquete / Caja
PG-HSOF-8-1
Descripción
TRENCH >=100V
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Serie
OptiMOS 6

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1X1X1 cm
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