Componente MOSFET IRF1407PBF 75V 130A 7.8mOhm 160nC Encapsulado TO-220-3 -55C a +175C 330W
Sin reseñas
Atributos
MOSFETTipo
estándarUso
TuboTipo de paquete
A través del agujeroTipo de montaje
OtrosLos medios disponibles
Fabricante originalTipo de Proveedor
Número de pieza del fabricante:IRF1407PBF
Marca:original
Descripción:MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
Lugar del origen:original
PAQUETE/cubierta:PARA-220-3
Temperatura de funcionamiento:- 55C-+ 175C
Serie:estándar
Código de fecha de fabricación:estándar
Referencia cruzada:estándar
Corriente de colector (Ic) (máx.):estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:estándar
Corriente de colector de corte (Max):estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:estándar
Poder-Max:330 vatios
Resistencia Base (R1):estándar
Resistencia-emisor Base (R2):estándar
FET tipo:1 canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss):75 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:130 A.
Rds (Max) @ Id Vgs:7,8 milésimas de ohmio
Vgs (th) (Max) @ Id:2 voltios
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:160 nCata
Vgs (Max):20 voltios
Tipo IGBT de:1 Canal N
Tipo de Transistor:1 Canal N
Características clave
Tipo
MOSFET
Uso
estándar
Tipo de paquete
Tubo
Tipo de montaje
A través del agujero
Los medios disponibles
Otros
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Poder-Max
330 vatios
PAQUETE/cubierta
PARA-220-3
Descripción
MOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
Número de pieza del fabricante
IRF1407PBF
Marca
original
Lugar del origen
original
Temperatura de funcionamiento
- 55C-+ 175C
Serie
estándar
Código de fecha de fabricación
estándar
Referencia cruzada
estándar
Corriente de colector (Ic) (máx.)
estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
estándar
Corriente de colector de corte (Max)
estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
estándar
Resistencia Base (R1)
estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
estándar
FET tipo
1 canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
75 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
130 A.
Rds (Max) @ Id Vgs
7,8 milésimas de ohmio
Vgs (th) (Max) @ Id
2 voltios
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
160 nCata
Vgs (Max)
20 voltios
Tipo IGBT de
1 Canal N
Tipo de Transistor
1 Canal N
Tipo de montaje
A través del agujero
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
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