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Transistor IRF3205 Original, Mosfet IRF3205 Original, Transistor Mosfet de Potencia IRF 3205, Transistor de Canal N IRF3205PBF

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Número de pieza del fabricante

ICPB1005-1-110I

Tipo

Otros, Transistor de Efecto de Campo

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-220-3

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ICPB1005-1-110I
Tipo
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Descripción
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-220-3
Temperatura de funcionamiento
-
Serie
-
Código de fecha de fabricación
-
Uso
-
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Los medios disponibles
Otro
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
Poder-Max
-
-Frecuencia de transición
-
Resistencia Base (R1)
-
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET tipo
Canal N
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
55V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
8mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
146nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3247pF @ 25V
Frecuencia
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Ruido
-
Potencia de salida
-
-Tensión nominal
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
20V
Tipo IGBT de
-
Configuración
-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
De entrada
-
Termistor NTC
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Resistencia-On (RDS)
-
Tensión de salida-salida
-
-Tensión Offset (Vt)
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Tipo de montaje
-
Embalaje
TO-220, Tubo&Carrete&Bandeja
Envío por
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Voltaje
-
Aplicaciones
-
Tipo de embalaje
Orificio pasante

Empaque y entrega

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Artículo individual
Tamaño del paquete
20X20X20 cm
Peso bruto
1.0 kg

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