Atributos
IRF3205SNúmero de Modelo
MOSFETTipo
JSMSEMIMarca
Montaje superficialTipo de paquete
60V MOSDescripción
Guangdong, ChinaLugar del origen
PAQUETE/cubierta:TO-263
Temperatura de funcionamiento:-55-150C
Serie:IRF3205
d/c:2024
Uso:Interruptor de potencia de circuitos
Tipo de Proveedor:Fabricante original
Referencia cruzada:IRF5305STRLPBF
Los medios disponibles:Hoja de Datos, Foto
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):60V
Corriente de colector de corte (Max):35A
Poder-Max:110W
Tipo de Montaje:Montaje superficial
FET tipo:MOS
FET característica:Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss):60V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:35A
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:35A
Corriente nominal (en amperios):35A
Potencia de salida:110W
-Tensión nominal:60V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):0
Vgs (Max):60V
Tipo IGBT de:MOS
Configuración:No aplicable
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:35A
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):60V
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):35A
Corriente de drenaje (Id).:35A
Tensión de salida-salida:60V
-Tensión Offset (Vt):60V
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):35A
Corriente de Valle Iv):35A
Corriente de pico:35A
Tipo de Transistor:P CANAL MOS
Tipo de montaje:TO-263
