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Transistor de Potencia IRF540NSPBF D2PAK-3, MOSFET de Montaje Superficial SMD, 100V, 1 N-CH HEXFET, 44mOhms, 47.3nC

Sin reseñas
EUR 2.78
1-99 unidades
EUR 2.61
100-999 unidades
EUR 2.43
≥1,000 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IRF540NSPBF

Tipo

MOSFETs

Tipo de paquete

Montaje superficial

Descripción

MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 47.3nC

Lugar del origen

Other

PAQUETE/cubierta

D2PAK-3

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IRF540NSPBF
Tipo
MOSFETs
Tipo de paquete
Montaje superficial
Descripción
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 47.3nC
Lugar del origen
original
PAQUETE/cubierta
D2PAK-3
Temperatura de funcionamiento
-55℃, +175℃
Serie
IRF540NSPBF
Código de fecha de fabricación
2026+
Uso
Ensamblaje de PCB
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
33 A
FET tipo
N-CH
FET característica
No aplicable
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
estándar
Rds (Max) @ Id Vgs
estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
estándar
Frecuencia
estándar
Corriente nominal (en amperios)
estándar
Ruido
estándar
Potencia de salida
estándar
-Tensión nominal
estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
estándar
Vgs (Max)
estándar
Tipo IGBT de
estándar
Configuración
No aplicable
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
estándar
De entrada
estándar
Termistor NTC
estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
estándar
Corriente de drenaje (Id).
estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id
estándar
Resistencia-On (RDS)
estándar
Tensión de salida-salida
estándar
-Tensión Offset (Vt)
estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
estándar
Corriente de Valle Iv)
estándar
Corriente de pico
estándar
Tipo de montaje
Montaje superficial

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

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