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Chenyao (Hong Kong) Trading Co., Limited
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Transistor Mosfet IRF6616 de Canal N 30 V 19A (Ta), 106A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) SMD DIRECTFET-MX IRF6616

Sin reseñas
EUR 0.0089
Cantidad mínima de compra: 1 unidad
Características

Características principales

Número de pieza del fabricante

IRF6616

Tipo

ESTÁNDAR

Marca

Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.

Tipo de paquete

ESTÁNDAR

Descripción

ESTÁNDAR

Lugar del origen

Guangdong, China

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IRF6616
Tipo
ESTÁNDAR
Marca
Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.
Tipo de paquete
ESTÁNDAR
Descripción
ESTÁNDAR
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
ESTÁNDAR
Código de fecha de fabricación
ESTÁNDAR
Los medios disponibles
ESTÁNDAR
Poder-Max
2.8W (Ta), 89W (Tc)
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
19A (Ta), 106A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
5mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.25V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3765 pF @ 20 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
STANDARD, STANDARD

Empaque y entrega

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Artículo individual

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