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IRFD024PBF IRFD024 Transistor MOSFET de Canal N, Chip Electrónico de Conmutación de Alta Potencia, Componente de Montaje a Través de Orificio IRFD024PBF

Sin reseñas
EUR 0.373-1.50
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Número de pieza del fabricante

IRFD024PBF

Tipo

MOSFET

Marca

Original

Descripción

Componente de orificio pasante de chip electrónico de conmutación de alta potencia

Lugar del origen

Other

PAQUETE/cubierta

HVMDIP-4

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Número de pieza del fabricante
IRFD024PBF
Tipo
MOSFET
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Descripción
Componente de orificio pasante de chip electrónico de conmutación de alta potencia
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
HVMDIP-4
Temperatura de funcionamiento
/
Serie
IRFD024PBF
Código de fecha de fabricación
/
Uso
/
Tipo de Proveedor
/
Referencia cruzada
/
Los medios disponibles
/
Corriente de colector (Ic) (máx.)
/
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
/
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
/
Corriente de colector de corte (Max)
/
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
/
Poder-Max
/
-Frecuencia de transición
/
Resistencia Base (R1)
/
Resistencia-emisor Base (R2)
/
FET tipo
/
FET característica
/
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
/
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
/
Rds (Max) @ Id Vgs
/
Vgs (th) (Max) @ Id
/
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
/
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
/
Frecuencia
/
Corriente nominal (en amperios)
/
Ruido
/
Potencia de salida
/
-Tensión nominal
/
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
/
Vgs (Max)
/
Tipo IGBT de
/
Configuración
/
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
/
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
/
De entrada
/
Termistor NTC
/
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
/
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
/
Corriente de drenaje (Id).
/
-Tensión de corte (VGS) @ Id
/
Resistencia-On (RDS)
/
Tensión de salida-salida
/
-Tensión Offset (Vt)
/
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
/
Corriente de Valle Iv)
/
Corriente de pico
/
Tipo de Transistor
MOSFET
Tipo de montaje
A través del agujero

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