IRFD9024PBF IRFD9024 Transistor MOSFET de Canal P, Chip Electrónico de Conmutación de Alta Potencia, Componente de Montaje a Través de Orificio IRFD9024PBF
IRFD9024PBF IRFD9024 Transistor MOSFET de Canal P, Chip Electrónico de Conmutación de Alta Potencia, Componente de Montaje a Través de Orificio IRFD9024PBFPuntuación de la tienda:
4.7
(91 reseñas)
Atributos
IRFD9024PBFNúmero de Modelo
MOSFETTipo
OriginalMarca
Agujero de labranzaTipo de paquete
Componente de orificio pasante de chip electrónico de conmutación de alta potenciaDescripción
OriginalLugar del origen
PAQUETE/cubierta:HVMDIP-4
Temperatura de funcionamiento:/
Serie:FIRFD9024
d/c:/
Uso:/
Tipo de Proveedor:/
Referencia cruzada:/
Corriente de colector (Ic) (máx.):/
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):/
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:/
Corriente de colector de corte (Max):/
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:/
Poder-Max:/
-Frecuencia de transición:/
Tipo de Montaje:A través del agujero
Resistencia Base (R1):/
Resistencia-emisor Base (R2):/
FET tipo:/
FET característica:/
Tensión de drenador a fuente (Vdss):/
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:/
Rds (Max) @ Id Vgs:/
Vgs (th) (Max) @ Id:/
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:/
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):/
Frecuencia:/
Corriente nominal (en amperios):/
Ruido:/
Potencia de salida:/
-Tensión nominal:/
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):/
Vgs (Max):/
Tipo IGBT de:/
Configuración:/
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:/
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:/
De entrada:/
Termistor NTC:/
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):/
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):/
Corriente de drenaje (Id).:/
-Tensión de corte (VGS) @ Id:/
Resistencia-On (RDS):/
Tensión de salida-salida:/
-Tensión Offset (Vt):/
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):/
Corriente de Valle Iv):/
Corriente de pico:/
Tipo de Transistor:FET de MOS
Tipo de montaje:A través del agujero
Características clave
Número de Modelo
IRFD9024PBF
Tipo
MOSFET
Marca
Original
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Descripción
Componente de orificio pasante de chip electrónico de conmutación de alta potencia
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
HVMDIP-4
Temperatura de funcionamiento
/
Serie
FIRFD9024
d/c
/
Uso
/
Tipo de Proveedor
/
Referencia cruzada
/
Corriente de colector (Ic) (máx.)
/
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
/
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
/
Corriente de colector de corte (Max)
/
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
/
Poder-Max
/
-Frecuencia de transición
/
Tipo de Montaje
A través del agujero
Resistencia Base (R1)
/
Resistencia-emisor Base (R2)
/
FET tipo
/
FET característica
/
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
/
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
/
Rds (Max) @ Id Vgs
/
Vgs (th) (Max) @ Id
/
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
/
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
/
Frecuencia
/
Corriente nominal (en amperios)
/
Ruido
/
Potencia de salida
/
-Tensión nominal
/
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
/
Vgs (Max)
/
Tipo IGBT de
/
Configuración
/
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
/
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
/
De entrada
/
Termistor NTC
/
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
/
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
/
Corriente de drenaje (Id).
/
-Tensión de corte (VGS) @ Id
/
Resistencia-On (RDS)
/
Tensión de salida-salida
/
-Tensión Offset (Vt)
/
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
/
Corriente de Valle Iv)
/
Corriente de pico
/
Tipo de Transistor
FET de MOS
Tipo de montaje
A través del agujero
Empaque y entrega
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