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Transistor MOSFET IRFP250NPBF IRFP250N | Chip de Conmutación de Alta Potencia N-Channel 200V 30A TO-247 | IRFP250NPBF

Puntuación de la tienda: 4.9
(39 reseñas)
2 vendido/s

Atributos

EstándarTipo de montaje
IRFP250NPBFNúmero de Modelo
OriginalMarca
Chip de Conmutación de Alta Potencia N-Channel 200V 30A TO-247Descripción
Transistor MOSFETTipo
OriginalLugar del origen
Tipo de paquete:A través del agujero
PAQUETE/cubierta:PARA-247AC
Temperatura de funcionamiento:/
Serie:FIRP250NPBF
d/c:/
Uso:/
Tensión de paso máx.:/
Voltaje inverso máx.:/
Corriente directa máx.:/
Corriente inversa máx.:/
Tipo de diodo:Estándar
La tecnología:Estándar
-Tensión de pico inversa (Max):/
Actual promedio rectificado (Io):/
Configuración de diodo:Estándar
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.):/
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo):/
Velocidad:/
Tiempo de recuperación inverso (V):/
Capacitancia Vr F:/
Corriente máx.:/
Resistencia @ si F:/
Disipación de potencia (Max):/
Capacitancia relación:/
Capacitancia relación condición:/
Q @ Vr F:/
Configuración:Estándar
La tolerancia:/
Poder-Max:/

Características clave

Tipo de montaje
Estándar
Número de Modelo
IRFP250NPBF
Marca
Original
Descripción
Chip de Conmutación de Alta Potencia N-Channel 200V 30A TO-247
Tipo
Transistor MOSFET
Lugar del origen
Original
Tipo de paquete
A través del agujero
PAQUETE/cubierta
PARA-247AC
Temperatura de funcionamiento
/
Serie
FIRP250NPBF
d/c
/
Uso
/
Tensión de paso máx.
/
Voltaje inverso máx.
/
Corriente directa máx.
/
Corriente inversa máx.
/
Tipo de diodo
Estándar
La tecnología
Estándar
-Tensión de pico inversa (Max)
/
Actual promedio rectificado (Io)
/
Configuración de diodo
Estándar
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.)
/
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo)
/
Velocidad
/
Tiempo de recuperación inverso (V)
/
Capacitancia Vr F
/
Corriente máx.
/
Resistencia @ si F
/
Disipación de potencia (Max)
/
Capacitancia relación
/
Capacitancia relación condición
/
Q @ Vr F
/
Configuración
Estándar
La tolerancia
/
Poder-Max
/

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