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Transistor de Potencia Mosfet de Canal N IRFP4710, Transistor de Potencia IRFP4710PBF IRFP 100V 72A 190W TO-247

Sin reseñas
EUR165
10-99 unidades
EUR154
100-999 unidades
EUR121
≥1,000 unidades

Cantidad

Opciones de personalización
Customized packaging (Pedido mínimo: 1 unidad)

Características principales

Número de pieza del fabricante

IRFP4710PBF

Marca

Original

Tipo de paquete

Agujero de labranza

Lugar del origen

California, United States

PAQUETE/cubierta

TO-247-3

FET tipo

Canal N

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IRFP4710PBF
Marca
Original
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Lugar del origen
California, United States
PAQUETE/cubierta
TO-247-3
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
72A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
14mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5,5 V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
6160pF @ 25V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
± 20V
Tipo
Transistor de efecto de campo
Número de modelo
IRFP460PBF
Paquete
TO-247
Envío por
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
Embalaje
Tubo y carrete y bandeja
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Descripción
N-CH MOSFET 100V 72A TO-247AC

Empaque y entrega

Detalles del embalaje
Tube&Tray&Reel With Standard Package
Puerto de despacho
HK
Unidades de venta
Artículo individual
Un solo volumen
0 cm³
Peso bruto
0.0 kg

Capacidad de suministro

Capacidad de suministro
42543 unidades por Day

Opciones de personalización

Customized packaging(+ desde /Pedido mínimo: 1 unidad)
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