Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
64 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado (IC)
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:memoria SDRAM
-Tensión de alimentación:3,15 V ~ 3,45 V
Frecuencia de reloj:143 megahercios
Organización de la memoria:2M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
