IXDN504D1T/R Componente Electrónico de Gestión de Energía (PMIC) Chip 6 VDFN con Pad Expuesto IC GATE DRVR LOW SIDE 6DFN Original
Sin reseñas
Atributos
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
Controladores de compuertaAplicación
Circuitos IntegradosCaracterísticas
Lado BajoConfiguración Impulsada
IndependienteTipo de Canal
Número de Conductores:2
Tipo de Puerta:IGBT, MOSFET de canal N, MOSFET de canal P
Voltaje Lógico VIL, VIH:0,8 V, 3 V
Características clave
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Controladores de compuerta
Características
Circuitos Integrados
Configuración Impulsada
Lado Bajo
Tipo de Canal
Independiente
Número de Conductores
2
Tipo de Puerta
IGBT, MOSFET de canal N, MOSFET de canal P
Voltaje Lógico VIL, VIH
0,8 V, 3 V
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Unidades de venta
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Tamaño del paquete
1X1X1 cm
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0.100 kg
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>= 5,500 unidades
EUR 0.2126
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IXDN504D1T/R IXDN504D1T/R IXDN504D1T/R
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