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IXFA18N65X2 18N65 MOSFET de Potencia Superjunction de Canal N 650V 18A TO-263 D2PAK SMD Bajo Qg para Fuente de Alimentación Conmutada PFC

Sin reseñas
EUR 0.113-0.1216
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Número de pieza del fabricante

IXFA18N65X2

Tipo

MOSFET

Marca

hkst

Tipo de paquete

Montaje en superficie

Descripción

MOSFET

Lugar del origen

Guangdong, China

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IXFA18N65X2
Tipo
MOSFET
Marca
hkst
Tipo de paquete
Montaje en superficie
Descripción
MOSFET
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
TO-263
Temperatura de funcionamiento
ESTÁNDAR
Serie
ESTÁNDAR
Código de fecha de fabricación
más reciente
Uso
Fuente de alimentación conmutada PFC
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Los medios disponibles
Ficha técnica
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
650V
FET tipo
Canal N
FET característica
Super Unión
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
18A
Rds (Max) @ Id Vgs
20mOhm @ 44A, 10V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Bajo Qg
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
5380pF @ 50V
Corriente nominal (en amperios)
18A
-Tensión nominal
650V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Configuración
No aplicable
Corriente de drenaje (Id).
18A
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Envío por
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Formas de pago
PAYPAL \ TT \ VISA \ Garantía comercial
Servicio de lista BOM
Servicios integrales de soporte BOM
Plazo de entrega
1-3 días laborables
Precio unitario
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