Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 MbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Asíncrono
-Tensión de alimentación:3,15 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:64K por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:10 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
