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En Stock APT29F100B2 T-MAX [B2] Transistores Componentes Electrónicos

Sin reseñas
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100-3,099 unidades
EUR525
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

APT29F100B2

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

T-MAX [B2]

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
APT29F100B2
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
T-MAX [B2]
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
POWER MOS 8
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
440mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
8500 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±30V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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