Componentes Electrónicos en Existencia, Compre en Línea MT29E6T08ETHBBM5-3:B Memoria TR
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Atributos
Componente y PiezaTipo
6 TbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuitos Integrados ElectrónicosCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:Flash - NAND
-Tensión de alimentación:2,5 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:333 megahercios
Organización de la memoria:768G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
6 Tbit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados Electrónicos
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
Flash - NAND
-Tensión de alimentación
2,5 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
333 megahercios
Organización de la memoria
768G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1,000 - 3,999 unidades
EUR 20445
>= 4,000 unidades
EUR 10223
Variantes
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MT29E6T08ETHBBM5 3:B TR
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