Componentes Electrónicos en Existencia, Compre en Línea MT29C4G96MAYBACKD-5 WT 137 TFBGA Memoria
Puntuación de la tienda:
4.5
(2 reseñas)






Atributos
FLASH - NAND, LPDRAM móvilLa tecnología
No Volátil, VolátilTipo de memoria
512M x 8 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM)Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:A granel
Aplicación:Memoria
Características:Componente Electrónico
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND, LPDRAM móvil
Tipo de memoria
No Volátil, Volátil
Organización de la memoria
512M x 8 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM)
Tipo
Componente y Pieza
-Tensión de alimentación
1,7 V ~ 1,95 V
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Frecuencia de reloj
200 megahercios
Lugar del origen
China
Tamaño de la memoria
4 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM)
Tipo de embajaje
A granel
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
0.100 kg
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Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
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EUR 0.5618
>= 3,100 unidades
EUR 0.2809
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MT29C4G96MAYBACKD 5 vatios
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