Componentes Electrónicos en Existencia, Compre en Línea MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 TR Memoria
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Atributos
Flash - NANDLa tecnología
-Tipo de memoria
1G x 8 (NAND), 512M x 16 (LPDDR4)Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
8 Gbit (NAND), 8 Gbit (LPDDR4)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación:-
Frecuencia de reloj:2,133 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:ONFI
Características clave
La tecnología
Flash - NAND
Tipo de memoria
-
Organización de la memoria
1G x 8 (NAND), 512M x 16 (LPDDR4)
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 Gbit (NAND), 8 Gbit (LPDDR4)
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación
-
Frecuencia de reloj
2,133 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
ONFI
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,000 - 4,999 unidades
EUR 573
>= 5,000 unidades
EUR 287
Variantes
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MT29GZ6A6BPIET 046IT.112 TR
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