Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO (SLC)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:128M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:50 µs, 1 ms
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples, QPI, DTR
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg
