Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 TbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:52 megahercios
Organización de la memoria:128G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:UFS2.1
