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Componentes Electrónicos en Stock SQ4153EY-T1_GE3 Transistores 8-SolC

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SQ4153EY-T1_GE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET CANAL P 12V 25A 8SOIC

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-SOIC

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SQ4153EY-T1_GE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET CANAL P 12V 25A 8SOIC
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-SOIC
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
TrenchFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
P-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
12 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
151 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
11000 pF @ 6 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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