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Componentes Electrónicos en Stock, Transistores STH12N120K5-2 H2PAK-2

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

STH12N120K5-2

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

H2PAK-2

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
STH12N120K5-2
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
H2PAK-2
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
MDmesh K5
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
690mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
44.2 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1370 pF @ 100 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±30V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores