Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
32 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:PSRAM (Pseudo SRAM)
-Tensión de alimentación:2,6 V ~ 3,3 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:2M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:70 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
