Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
512 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:memoria SDRAM
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:128M x 4 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
