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Componentes Electrónicos en Stock: Transistores IQD005N04NM6SCATMA1 PG-WHSON-8-U02

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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IQD005N04NM6SCATMA1

Marca

Original

Descripción

MOSFETs de potencia 25 V - 150

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-WHSON-8-U02

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IQD005N04NM6SCATMA1
Marca
Original
Descripción
MOSFETs de potencia 25 V - 150
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-WHSON-8-U02
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
OptiMOS 6
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
57A (Ta), 597A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
0.49mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.8V @ 1.449mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
163 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
12000 pF @ 20 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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