Componente Electrónico en Existencia MT29F4T08EULCEM4-R:C Memoria
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 terabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (TLC)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:512G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
4 terabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
A granel
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FLASH - NAND (TLC)
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
512G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3099 unidades
EUR 0.4698
>= 3100 unidades
EUR 0.2349
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